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　　經(jīng)驗值 1nS 的 Delay 約等于1；
　　K 對100PF，也等于 100R 對102PF。
　　16. 畫小板時，在小板引腳的90度拐角處增加一個圓形鉆孔，方便組裝。如圖：

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實物圖

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　　實際組裝圖
　　這樣做可以使小板與 PCB 大板之間緊密貼合，不會有浮高現(xiàn)象。
　　17. 電路設計，肖特基的散熱片可以接到輸出正極線路，這樣鐵封的肖特基就不用絕緣墊和絕緣粒。
　　18. 電路調試，15W 以上功率的 RCD 吸收不要用 1N4007，因為 1N4007 速度慢 300uS，壓降也大1.3V，老化過程中溫度很高，容易失效造成炸機。
　　19. 電路調試，輸出濾波電容的耐壓致少需符合1.2倍余量，避勉量產(chǎn)有損壞現(xiàn)象。
　　之前是犯了這個很低級的錯誤，14.5V 輸出用16V 耐壓電容，量產(chǎn)有1%的電容失效不良。
　　20. 電路設計，大電容或其它電容做成臥式時，底部如有跳線需放在負極電位，這樣跳線可以不用穿套管，節(jié)省成本。
　　21. 整流橋堆、二極管或肖特基，晶元大小元件承認書或在 BOM 表要有描述，如67mil（理由：管控供應商送貨一致性，避免供應商偷工減料，影響產(chǎn)品效率）。
　　令人煩惱的就是供應商做手腳，導致一整批試產(chǎn)的產(chǎn)品過不了六級能效，原因就是肖特基內部晶元用小導致。
　　22. 電路設計，Snubber 電容，因為有異音問題，優(yōu)先使用 Mylar 電容，這是處理異音的方法之一。
　　23. 電路設計，啟動電阻如果使用在整流前，要加串一顆幾百 K 的電阻。電阻短路時,不會造成 IC 和 MOSFET 損壞。

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　　電路圖
　　24. 電路設計，高壓大電容并一顆103P 瓷片電容位置，理由：對輻射30-60MHz 都有一定的作用�？臻g允許的話，可以給 PCB Layout 留一個位置，方便 EMI 整改。
　　25. 在進行 EMS 項目測試時，需測試出產(chǎn)品的最大程序，直到產(chǎn)品損壞為止。
　　例如 ESD 雷擊等，一定要打到產(chǎn)品損壞為止，并做好相關記錄，看產(chǎn)品余量有多少，做到心中有數(shù)。
　　26. 電路設計，異常測試時，短路開路某個元件如果還有輸出電壓(www.zhongyiwenxian.com.cn)則要進行 LPS 測試，過流點不能超過8A（超過 8A 是不能申請 LPS）。
　　27. 安規(guī)開殼樣機，所有可選插件元件要裝上供拍照用，L、N 線和 DC 線與 PCB 要點白膠固定。
　　這個是經(jīng)常犯的一個毛病，經(jīng)常一股勁的把樣品送到第三方機構，后面來來回回改來改去的。
　　28. 電路調試，冷機時 PSR 需1.15倍電流能開機，SSR 需1.3倍電流能開機，避免老化后啟動不良。PSR 現(xiàn)在很多芯片都可以實現(xiàn) “零恢復” OCP 電流，比如 ME8327N，具有 “零恢復” OCP 電流功能。
　　29. 電路設計，請注意使用的 Y 電容總容量,不能超過222P, 因為有漏電流的影響。針對不同安規(guī)，漏電流要求也不一樣，在設計時需特別留意。
　　30. 反激拓補結構，變壓器 B 值需小于3500高斯，如果變壓器飽和一切動作將會失控，如下左圖為正常，右圖為飽和。

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變壓器的磁飽和一定要確認，重中之重，這是首條安全性能保障，包括過流點的磁飽和、開機瞬間的磁飽和、輸出短路的磁飽和、高溫下的磁飽和、高低壓的磁飽和。容－源－電－子－網(wǎng)－為你提供技術支持

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